STD3N62K3

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STD3N62K3概述

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD3N62K3 系列 N 沟道 620 V 2.5 Ohm SuperMESH3™ 功率 Mosfet - TO-252-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1.7A; 45W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
620V,2.2Ω,2.7A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK


STD3N62K3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 6.8 ns

输入电容Ciss 385pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 15.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD3N62K3
型号: STD3N62K3
描述:N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD3N62K3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD3N62K3

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STU3N62K3

意法半导体

完全替代

STD3N62K3和STU3N62K3的区别

STB3N62K3

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完全替代

STD3N62K3和STB3N62K3的区别

STP3N62K3

意法半导体

完全替代

STD3N62K3和STP3N62K3的区别

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