MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 60V 50A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP55NF06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Jameco:
Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 50 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP55NF06 系列 N沟道 60 V 18 mOhm STripFET™ II 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP55NF06 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.015 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
60V,50A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
额定功率 110 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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