STP11NM80

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STP11NM80概述

STMICROELECTRONICS  STP11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP11NM80, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 800V 11A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 800 V 0.4 Ohm Flange Mount MDMesh Power MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 800V 11A 400mOhm TO220-3 **


力源芯城:
800V,11A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220


STP11NM80中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

额定功率 150 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

STP11NM80引脚图与封装图
STP11NM80引脚图
STP11NM80封装图
STP11NM80封装焊盘图
在线购买STP11NM80
型号: STP11NM80
描述:STMICROELECTRONICS  STP11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STP11NM80
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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