STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
N-Channel 55V 120A Tc 300W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STB150NF55T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 55 V 0.006 Ohm Surface Mount StripFET II Power MosFet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 55V 120A 5mOhm TO263-3 **
力源芯城:
55V,5mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 120 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
输入电容 4400 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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