STMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
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- Exceptional dV/dt capability
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- 100% Avalanche tested
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- Avalanche rugged technology
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- -55 to 150°C Operating junction temperature
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
针脚数 4
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 3 V
输入电容 315 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 315pF @25VVds
额定功率Max 3.3 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STN3NF06 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STN3NF06L 意法半导体 | 类似代替 | STN3NF06和STN3NF06L的区别 |
NTF3055L108T1G 安森美 | 功能相似 | STN3NF06和NTF3055L108T1G的区别 |
NTF3055-100T1G 安森美 | 功能相似 | STN3NF06和NTF3055-100T1G的区别 |