N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ，STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
立创商城:
N沟道 100V 80A
贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 100V 80A 18mOhm TO220-3 **
力源芯城:
100V,0.012Ohm,80A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
额定功率 300 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
输入电容 5500 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP80NF10 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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