STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
立创商城:
N沟道 60V 60A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF06, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP60NF06 系列 N 沟道 60 V 16 mΩ STripFET II 功率 MOSFET - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP60NF06 MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 60V 60A 16mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
额定电压DC 60.0 V
额定电流 60.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 108 ns
输入电容Ciss 1660pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 工业, Industrial, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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