STMICROELECTRONICS STB34NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
立创商城:
STB34NM60ND
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 600 V 0.110 Ohm Surface Mount FDmesh™ II Power Mosfet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**MOSFET 600V 110mOhm 29A TO263 **
力源芯城:
600V,29A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 53.4 ns
输入电容Ciss 2785pF @50VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 61.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB34NM60ND ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB60R099CPATMA1 英飞凌 | 功能相似 | STB34NM60ND和IPB60R099CPATMA1的区别 |