STB34NM60ND

STB34NM60ND图片1
STB34NM60ND图片2
STB34NM60ND图片3
STB34NM60ND图片4
STB34NM60ND图片5
STB34NM60ND图片6
STB34NM60ND图片7
STB34NM60ND图片8
STB34NM60ND图片9
STB34NM60ND图片10
STB34NM60ND图片11
STB34NM60ND图片12
STB34NM60ND图片13
STB34NM60ND图片14
STB34NM60ND图片15
STB34NM60ND图片16
STB34NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STB34NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK


立创商城:
STB34NM60ND


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 0.110 Ohm Surface Mount FDmesh™ II Power Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**MOSFET 600V 110mOhm 29A TO263 **


力源芯城:
600V,29A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK


STB34NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.097 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 29A

上升时间 53.4 ns

输入电容Ciss 2785pF @50VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 61.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB34NM60ND
型号: STB34NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STB34NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STB34NM60ND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB34NM60ND

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IPB60R099CPATMA1

英飞凌

功能相似

STB34NM60ND和IPB60R099CPATMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台