STD7NS20T4

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STD7NS20T4概述

STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NS20T4, 7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Jameco:
Transistor MOSFET Negative Channel 200 Volt 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 200 V 0.4 Ω 45 W Surface Mount MESH Overlay Power Mosfet - TO-252


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 200V 7A 400mOhm TO252-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK


STD7NS20T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 7.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Industrial, Lighting, Communications & Networking, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD7NS20T4引脚图与封装图
STD7NS20T4引脚图
STD7NS20T4封装焊盘图
在线购买STD7NS20T4
型号: STD7NS20T4
描述:STMICROELECTRONICS  STD7NS20T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD7NS20T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD7NS20T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

FQD12N20TM

飞兆/仙童

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