STMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NS20T4, 7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD7NS20T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Jameco:
Transistor MOSFET Negative Channel 200 Volt 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 200 V 0.4 Ω 45 W Surface Mount MESH Overlay Power Mosfet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 200V 7A 400mOhm TO252-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
额定电压DC 200 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 540pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Industrial, Lighting, Communications & Networking, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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