STL15N65M5

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STL15N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


贸泽:
MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.335 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PowerFlat T/R


富昌:
单 N 沟道 650 V 0.357 Ohm 52 W 表面贴装 功率 Mosfet - POWERFLAT 5x6 HV


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 10A 375mOhm PFlat5x6 **


STL15N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 375 mΩ

耗散功率 52 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 816pF @100VVds

额定功率Max 52 W

下降时间 12.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-HV-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.35 mm

高度 1 mm

封装 PowerFLAT-5x6-HV-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STL15N65M5
型号: STL15N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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