








N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
贸泽:
MOSFET N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 0.335 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 4-Pin PowerFlat T/R
富昌:
单 N 沟道 650 V 0.357 Ohm 52 W 表面贴装 功率 Mosfet - POWERFLAT 5x6 HV
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 10A 375mOhm PFlat5x6 **
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 375 mΩ
耗散功率 52 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 816pF @100VVds
额定功率Max 52 W
下降时间 12.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-HV-8
长度 5.4 mm
宽度 6.35 mm
高度 1 mm
封装 PowerFLAT-5x6-HV-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99