STP4NK60ZFP

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STP4NK60ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/L4857737-01.jpg]http://china.rs-online.com/largeimages/L4857737-01.jpg![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-19.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-19.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 4A


贸泽:
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  Power MOSFET, N Channel, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V


力源芯城:
600V,1.76Ω,4A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP


STP4NK60ZFP中文资料参数规格
技术参数

额定功率 25 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 16.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP4NK60ZFP引脚图与封装图
STP4NK60ZFP引脚图
STP4NK60ZFP封装图
STP4NK60ZFP封装焊盘图
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型号: STP4NK60ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
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