STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/L4857737-01.jpg]http://china.rs-online.com/largeimages/L4857737-01.jpg![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-19.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-19.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 4A
贸泽:
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 25W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP Power MOSFET, N Channel, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
力源芯城:
600V,1.76Ω,4A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP
额定功率 25 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 16.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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