STD2HNK60Z

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STD2HNK60Z概述

N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


立创商城:
N沟道 600V 2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 2A 4800mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,4.4Ω,2A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK


STD2HNK60Z中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 45000 mW

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD2HNK60Z
型号: STD2HNK60Z
描述:N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
替代型号STD2HNK60Z
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