










N沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
立创商城:
N沟道 600V 2A
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Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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**N-CH 600V 2A 4800mOhm TO252-3 **
力源芯城:
600V,4.4Ω,2A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
极性 N-Channel
耗散功率 45000 mW
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD2HNK60Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD2N60CTM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD2HNK60Z和FQD2N60CTM的区别 |
FQD2N60CTF 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD2HNK60Z和FQD2N60CTF的区别 |
IRFRC20TRPBF 威世 | 功能相似 | STD2HNK60Z和IRFRC20TRPBF的区别 |