STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
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- Exceptional dV/dt capability
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- Low gate charge at 100°C
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- 100% Avalanche tested
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- Application oriented characterization
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- -50 to 175°C Operating junction temperature range
额定电压DC 100 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1780pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -50℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB40NF10T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF8010S 国际整流器 | 类似代替 | STB40NF10T4和IRF8010S的区别 |
FDB3652 飞兆/仙童 | 功能相似 | STB40NF10T4和FDB3652的区别 |
IRF540NSTRLPBF 国际整流器 | 功能相似 | STB40NF10T4和IRF540NSTRLPBF的区别 |