STW9N150

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STW9N150概述

STMICROELECTRONICS  STW9N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 1.5kV 8A


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW9N150, 8 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N沟道 1500 V 8 A 2.5 Ohm 法兰安装 PowerMesh™ 功率 MOSFET -TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 5A; 320W; TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 1.5kV 8A 2500mOhm TO247-3 **


力源芯城:
1500V,2.2Ω,8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247


STW9N150中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 320 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1500 V

上升时间 14.7 ns

输入电容Ciss 3255pF @25VVds

额定功率Max 320 W

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW9N150引脚图与封装图
STW9N150引脚图
STW9N150封装图
STW9N150封装焊盘图
在线购买STW9N150
型号: STW9N150
描述:STMICROELECTRONICS  STW9N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V

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