STH175N4F6-6AG概述
H2PAK N-CH 40V 120A
N-Channel 40V 120A Tc 150W Tc Surface Mount H2Pak-2
得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 6-Pin H2PAK T/R
STH175N4F6-6AG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 7735pF @20VVds
下降时间 57 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
外形尺寸
封装 TO-263-7
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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