STW70N60DM2

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STW70N60DM2概述

STMICROELECTRONICS  STW70N60DM2  Power MOSFET, N Channel, 66 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101


欧时:
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 600V 66A


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MOSFET N-CH 600V 66A TO247


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MOSFET PTD HIGH VOLTAGE


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Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 446W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
MOSFET, N-CH, 600V, 66A, TO-247


STW70N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 446 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 5508pF @100VVds

下降时间 10.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 446W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STW70N60DM2
型号: STW70N60DM2
描述:STMICROELECTRONICS  STW70N60DM2  Power MOSFET, N Channel, 66 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V 新

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