STF34NM60N

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STF34NM60N概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STF34NM60N power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 250000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
600V,0.092Ω,29A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 29.0A TO220FP


STF34NM60N中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.092 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 2722pF @100VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STF34NM60N
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STF34NM60N
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