STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
立创商城:
N沟道 400V, 0.47? 9A 功率MOSFET
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB11NK40ZT4, 9 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STB11NK40ZT4 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes supermesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N沟道 400 V 49 mΩ 110 W 表面贴装 齐纳 保护 SupeMesh MosFet - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.67A; 110W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 400V 9A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 400V 9A 490mOhm TO263-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
额定电压DC 400 V
额定电流 9.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.49 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 930pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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