STP95N3LLH6

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STP95N3LLH6概述

STMICROELECTRONICS  STP95N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET 30V N-Chnl 80A STripFET VI DeepGATE


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP95N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP95N3LLH6 系列 30 V 4.7 mO N-沟道 STripFET™ VI DeepGATE™ 功率 MOSFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP95N3LLH6  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V


力源芯城:
30V,80A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220


STP95N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 91 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 23.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP95N3LLH6
型号: STP95N3LLH6
描述:STMICROELECTRONICS  STP95N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
替代型号STP95N3LLH6
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