












STMICROELECTRONICS STP95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET 30V N-Chnl 80A STripFET VI DeepGATE
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP95N3LLH6 系列 30 V 4.7 mO N-沟道 STripFET™ VI DeepGATE™ 功率 MOSFET - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP95N3LLH6 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1 V
力源芯城:
30V,80A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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