








N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 107 A, 0.005 ohm, PowerFLAT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin PowerFLAT T/R
富昌:
STL110N10F7 系列 100 V 6 mOhm 21 A N 沟道 功率 Mosfet - PowerFLAT™5x6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 107A 5mOhm PFLAT5x6 **
力源芯城:
100V,5mΩ,107A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-CH
耗散功率 136 W
阈值电压 2V ~ 4V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 5500pF @50VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5.4 mm
宽度 6.35 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99