STW60NM50N

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STW60NM50N概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 500V 68A Tc 446W Tc Through Hole TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 500V 68A TO247


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STW60NM50N power MOSFET. Its maximum power dissipation is 446000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 68A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 43A; 446W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 68A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


DeviceMart:
MOSFET N CH 500V 68A TO-247


STW60NM50N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 N-CH

耗散功率 446 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 68A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 5790pF @100VVds

下降时间 27.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 446W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW60NM50N
型号: STW60NM50N
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V

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