STL8P4LLF6

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STL8P4LLF6概述

N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
P沟道 40V


得捷:
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT


欧时:
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si P沟道 MOSFET STL8P4LLF6, 8 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装


贸泽:
MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -40 V, 0.0175 ohm, -10 V, -2.5 V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STL8P4LLF6 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 2900 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device is made with stripfet f6 technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerFLAT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R


STL8P4LLF6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 20.5 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 2.9 W

阈值电压 1V ~ 2.5V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 47 ns

输入电容Ciss 2850pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

长度 3.25 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.9 mm

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

STL8P4LLF6引脚图与封装图
STL8P4LLF6引脚图
STL8P4LLF6封装图
STL8P4LLF6封装焊盘图
在线购买STL8P4LLF6
型号: STL8P4LLF6
描述:N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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