STL60N3LLH5

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STL60N3LLH5概述

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT


欧时:
STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R


富昌:
STL60N3LLH5 系列 30 V 7.1 mOhm N 沟道 STripFET™ V 功率 MOSFET - PowerFLAT


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT


STL60N3LLH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 11.2 ns

输入电容Ciss 1290pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 0.81 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STL60N3LLH5
型号: STL60N3LLH5
描述:N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STL60N3LLH5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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