








N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
欧时:
STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R
富昌:
STL60N3LLH5 系列 30 V 7.1 mOhm N 沟道 STripFET™ V 功率 MOSFET - PowerFLAT
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin Power Flat T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
通道数 1
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 11.2 ns
输入电容Ciss 1290pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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