STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
立创商城:
N沟道 60V 55A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 60 V 18 mOhm STripFET™ II Power MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP55NF06L MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 60 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.7 V
儒卓力:
**N-CH 60V 55A 22mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
额定电压DC 60.0 V
额定电流 55.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 95 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
额定功率Max 95 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Signal Processing, Audio, 信号处理, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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