STP55NF06L

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STP55NF06L概述

STMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB


立创商城:
N沟道 60V 55A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 60 V 18 mOhm STripFET™ II Power MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP55NF06L  MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 60 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.7 V


儒卓力:
**N-CH 60V 55A 22mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220


STP55NF06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 55.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 95 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 55.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

额定功率Max 95 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 95W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Signal Processing, Audio, 信号处理, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP55NF06L引脚图与封装图
STP55NF06L引脚图
STP55NF06L封装图
STP55NF06L封装焊盘图
在线购买STP55NF06L
型号: STP55NF06L
描述:STMICROELECTRONICS  STP55NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道
替代型号STP55NF06L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP55NF06L

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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