STP24NM65N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP24NM65N概述

N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

通孔 N 通道 650 V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220

STP24NM65N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 160W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 19A

输入电容Ciss 2500pF @50VVds

额定功率Max 160 W

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP24NM65N

型号： STP24NM65N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.16 Ω - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

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