STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
立创商城:
N沟道 60V 12A
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD12NF06L 系列 N 沟道 60 V 0.1 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 60V 12A 70mOhm TO252-3 **
力源芯城:
60V,0.08Ω,12A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 12.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
输入电容 350 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42.8W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 通信与网络, 工业, Computers & Computer Peripherals, Automotive, Communications & Networking, 计算机和计算机周边, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STD12NF06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD12NF06T4 意法半导体 | 类似代替 | STD12NF06LT4和STD12NF06T4的区别 |
NTD3055L104T4G 安森美 | 功能相似 | STD12NF06LT4和NTD3055L104T4G的区别 |
NTD18N06LT4G 安森美 | 功能相似 | STD12NF06LT4和NTD18N06LT4G的区别 |