STD12NF06T4

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STD12NF06T4概述

STMICROELECTRONICS  STD12NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD12NF06T4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
N沟道 60 V 0.1 Ohm 表面贴装 STripFET™ II 功率 MosFet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 12A 70mOhm TO252-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK


STD12NF06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 80 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

输入电容 315 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 315pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD12NF06T4
型号: STD12NF06T4
描述:STMICROELECTRONICS  STD12NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
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