STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD12NF06T4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N沟道 60 V 0.1 Ohm 表面贴装 STripFET™ II 功率 MosFet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 12A 70mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 12.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
输入电容 315 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 315pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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