STB38N65M5

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STB38N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK


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MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5


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STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R - Arrow.com


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N-Channel 650 V 27 A 0.095 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK


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Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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STB38N65M5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 95 mΩ

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 3000pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB38N65M5
型号: STB38N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STB38N65M5
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