












N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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得捷:
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
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### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N沟道 650V 30A
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MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 4 V
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STB38N65M5 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 30A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R - Arrow.com
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N-Channel 650 V 27 A 0.095 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; 190W; D2PAK
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针脚数 3
漏源极电阻 95 mΩ
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 3000pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB38N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB35N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STB38N65M5和STB35N65M5的区别 |