N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
N-Channel 550V 20A Tc 192W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
额定电压DC 550 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
输入电容 1.48 nF
栅电荷 56.0 nC
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 1480pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 8.95 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB20NM50-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP16NM50N 意法半导体 | 功能相似 | STB20NM50-1和STP16NM50N的区别 |
STI16NM50N 意法半导体 | 功能相似 | STB20NM50-1和STI16NM50N的区别 |