N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
欧时:
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 180 A, 0.0019 ohm, H2PAK-6, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 6-Pin H2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R
Newark:
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, H2PAK-6-7
儒卓力:
**N-CH 100V 180A 2.3mOhm H2PAK-6 **
力源芯城:
100V,2.1mΩ,180A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSF N CH 100V 180A H2PAK-6
通道数 1
针脚数 7
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 315 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 108 ns
输入电容Ciss 12800pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 15.25 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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