STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD12N65M5, 8.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STD12N65M5 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh v technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD12N65M5 Power MOSFET, N Channel, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 17.6 ns
输入电容Ciss 900pF @100VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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