STP20NM50

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STP20NM50概述

STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB


立创商城:
N沟道 500V 20A


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STP20NM50 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 192000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220


STP20NM50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 192 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1480pF @25VVds

额定功率Max 192 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 192W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP20NM50引脚图与封装图
STP20NM50引脚图
STP20NM50封装图
STP20NM50封装焊盘图
在线购买STP20NM50
型号: STP20NM50
描述:STMICROELECTRONICS  STP20NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STP20NM50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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