N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 30 V 3 mOhm Surface Mount STripFET™ VI DeepGATE™ Power Mosfet- D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
30V,80A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 3650pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB155N3H6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD155N3H6 意法半导体 | 完全替代 | STB155N3H6和STD155N3H6的区别 |
SPB80N03S2-03 英飞凌 | 功能相似 | STB155N3H6和SPB80N03S2-03的区别 |