STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
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N沟道 100V 110A
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MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP120NF10 MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 100V 120A 9mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
额定电压DC 100 V
额定电流 120 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 312 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
额定功率Max 312 W
下降时间 68 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Signal Processing, Audio, 信号处理, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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