STP120NF10

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STP120NF10概述

STMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB


立创商城:
N沟道 100V 110A


贸泽:
MOSFET N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 110 A, 0.009 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 312W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP120NF10  MOSFET Transistor, N Channel, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 100V 120A 9mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220


STP120NF10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 120 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 312 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 110 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 5200pF @25VVds

额定功率Max 312 W

下降时间 68 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 312000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Signal Processing, Audio, 信号处理, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP120NF10引脚图与封装图
STP120NF10引脚图
STP120NF10封装图
STP120NF10封装焊盘图
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型号: STP120NF10
描述:STMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP120NF10
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