STE48NM50

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STE48NM50概述

STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STE48NM50, 48 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 48 Amp


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V


艾睿:
This STE48NM50 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 450000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin ISOTOP Tube


富昌:
N-Channel 550 V 0.1 Ω MDmesh™ Power Mosfet - ISOTOP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin ISOTOP Tube


TME:
Module; single transistor; Uds:500V; Id:30A; ISOTOP; 450W; screw


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin ISOTOP Tube


STE48NM50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 550 V

额定电流 48.0 A

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 80 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 450 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 48.0 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 3700pF @25VVds

额定功率Max 450 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 450W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 ISOTOP-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.5 mm

高度 12.2 mm

封装 ISOTOP-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STE48NM50
型号: STE48NM50
描述:STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V
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