N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI22NM60N, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
力源芯城:
600V,16A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 16A I2PAK
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1330pF @50VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 10.75 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STI22NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB22NM60N 意法半导体 | 功能相似 | STI22NM60N和STB22NM60N的区别 |