N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ？ N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
N-Channel 600V 20A Tc 192W Tc Surface Mount D2PAK
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N沟道 600V 20A
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MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
额定电压DC 650 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 290 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
输入电容 1.50 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB20NM60T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB20NM60D 意法半导体 | 类似代替 | STB20NM60T4和STB20NM60D的区别 |
FCB20N60FTM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STB20NM60T4和FCB20N60FTM的区别 |