STD11N50M2

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STD11N50M2概述

Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3Pin DPAK T/R

N-Channel 500V 8A Tc 85W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3-Pin DPAK T/R


富昌:
N-沟道 500 V 8 A 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus 功率 Mosfet - DPAK-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; 85W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK


STD11N50M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.53 Ω

耗散功率 85 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 395pF @100VVds

下降时间 28.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD11N50M2
型号: STD11N50M2
描述:Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3Pin DPAK T/R
替代型号STD11N50M2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

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