Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3Pin DPAK T/R
N-Channel 500V 8A Tc 85W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 8A 3-Pin DPAK T/R
富昌:
N-沟道 500 V 8 A 0.53 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus 功率 Mosfet - DPAK-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; 85W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 0.53 Ω
耗散功率 85 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 395pF @100VVds
下降时间 28.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STD11N50M2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD08N50C3 英飞凌 | 功能相似 | STD11N50M2和SPD08N50C3的区别 |