STD7NM80-1

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STD7NM80-1概述

STMICROELECTRONICS  STD7NM80-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK


立创商城:
N沟道 800V 6.5A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD7NM80-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


富昌:
800V,6.5A,1050MOHM,iPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD7NM80-1  Power MOSFET, N Channel, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 700V 6,5A 1,05Ohm TO251-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK


STD7NM80-1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 6.5A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STD7NM80-1
型号: STD7NM80-1
描述:STMICROELECTRONICS  STD7NM80-1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V
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