










STMICROELECTRONICS STD7NM80-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
立创商城:
N沟道 800V 6.5A
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
MOSFET N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD7NM80-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
富昌:
800V,6.5A,1050MOHM,iPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD7NM80-1 Power MOSFET, N Channel, 6.5 A, 800 V, 0.95 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 700V 6,5A 1,05Ohm TO251-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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