STW7NK90Z

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STW7NK90Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 900V 5.8A


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW7NK90Z, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.65A; 140W; TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW7NK90Z  Power MOSFET, N Channel, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 900V 6A 2000mOhm TO247-3 **


力源芯城:
5.8A,900V,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247


STW7NK90Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 5.80 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 1350 pF

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.90 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW7NK90Z引脚图与封装图
STW7NK90Z封装焊盘图
在线购买STW7NK90Z
型号: STW7NK90Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STW7NK90Z
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