STP65NF06

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STP65NF06概述

STMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

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N沟道 60V 60A


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MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB


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Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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STP65NF06 系列 N 沟道 60 V 14 mOhm STripFET II 功率 MOSFet - TO-220-3


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TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; TO220-3


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Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
60V,0.014Ω,60A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220


STP65NF06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 60.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0115 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.70 nF

栅电荷 75.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STP65NF06
型号: STP65NF06
描述:STMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STP65NF06
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