STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 60V 60A
得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
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贸泽:
MOSFET N-channel MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP65NF06 系列 N 沟道 60 V 14 mOhm STripFET II 功率 MOSFet - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
60V,0.014Ω,60A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
额定电压DC 60.0 V
额定电流 60.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0115 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.70 nF
栅电荷 75.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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