STU13N60M2

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STU13N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin IPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; IPAK


儒卓力:
**N-CH 600V 11A 380mOhm TO251-3 **


力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK / N-Channel 600 V 11A Tc 110W Tc Through Hole TO-251 IPAK


STU13N60M2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

输入电容 580 pF

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 580pF @100VVds

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STU13N60M2
型号: STU13N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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