N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin IPAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; IPAK
儒卓力:
**N-CH 600V 11A 380mOhm TO251-3 **
力源芯城:
600V,0.35Ω,11A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK / N-Channel 600 V 11A Tc 110W Tc Through Hole TO-251 IPAK
极性 N-CH
耗散功率 110 W
输入电容 580 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 580pF @100VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99