STMICROELECTRONICS STN1NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NK80Z, 250 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
立创商城:
N沟道 800V 250mA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STN1NK80Z Power MOSFET, N Channel, 500 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 0,25A 16 Ohm SOT223 **
力源芯城:
800V,0.25A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223
额定电压DC 800 V
额定电流 250 mA
针脚数 4
漏源极电阻 13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 160 pF
栅电荷 7.70 nC
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 250 mA
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 160pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
