STD20NF06LT4

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STD20NF06LT4概述

STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


立创商城:
N沟道 60V 24A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
N-ch 60V - 0.032Ω - 24A - STripFET II Power MOSFET


富昌:
TO 252 DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**N-CH 60V 24A 40mOhm TO252-3 **


力源芯城:
60V,0.032Ω,24A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK


STD20NF06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 24.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±18.0 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 660pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD20NF06LT4引脚图与封装图
STD20NF06LT4引脚图
STD20NF06LT4封装图
STD20NF06LT4封装焊盘图
在线购买STD20NF06LT4
型号: STD20NF06LT4
描述:STMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号STD20NF06LT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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