

















STMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
立创商城:
N沟道 60V 24A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
N-ch 60V - 0.032Ω - 24A - STripFET II Power MOSFET
富昌:
TO 252 DPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 60W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 2.5 V
儒卓力:
**N-CH 60V 24A 40mOhm TO252-3 **
力源芯城:
60V,0.032Ω,24A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 24.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 660pF @25VVds
额定功率Max 60 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD20NF06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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NTD20N06LT4G 安森美 | 功能相似 | STD20NF06LT4和NTD20N06LT4G的区别 |