STP7N95K3

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STP7N95K3概述

STMICROELECTRONICS  STP7N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STP7N95K3, 7.2 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP7N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
This STP7N95K3 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with supermesh 3 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 4.5A; 150W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220


STP7N95K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 950 V

连续漏极电流Ids 7.2A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1031pF @100VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP7N95K3
型号: STP7N95K3
描述:STMICROELECTRONICS  STP7N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STP7N95K3
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