STS10P4LLF6

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STS10P4LLF6概述

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET P-CH 40V 10A 8SO


欧时:
### P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -40 V, 0.0125 ohm, -10 V, -1 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 10A 8-Pin SO N T/R


STS10P4LLF6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0125 Ω

耗散功率 2.7 W

上升时间 60.6 ns

输入电容Ciss 3525pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STS10P4LLF6
型号: STS10P4LLF6
描述:P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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