STP32NM50N

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STP32NM50N概述

N沟道500 V, 0.1 I ©典型值,22是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET在D²PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247封装 N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages

N-Channel 500V 22A Tc 190W Tc Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N CH 500V 22A TO-220


贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


富昌:
500V, 22A, 0.13OHM, TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
500V,22A,N沟道MOSFET


STP32NM50N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 130 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 1973pF @50VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 23.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP32NM50N
型号: STP32NM50N
描述:N沟道500 V, 0.1 I ©典型值,22是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET在D²PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247封装 N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages
替代型号STP32NM50N
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ST Microelectronics 意法半导体

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