N沟道500 V, 0.1 I ©典型值,22是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET在D²PAK , TO- 220FP , TO- 220 , TO- 247封装 N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh⢠II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages
N-Channel 500V 22A Tc 190W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N CH 500V 22A TO-220
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
500V, 22A, 0.13OHM, TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
500V,22A,N沟道MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1973pF @50VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 23.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP32NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB32NM50N 意法半导体 | 功能相似 | STP32NM50N和STB32NM50N的区别 |