



晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 800 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 800V 12A Tc 190W Tc Through Hole TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
STMSTW13N80K5
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 870pF @100VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free