STW4N150

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STW4N150概述

STMICROELECTRONICS  STW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 1.5kV 4A


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Jameco:
N-channel 1500V, 5Ω, 4A, TO-247


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**N-CH 1.5kV 4A 7000mOhm TO247-3 **


力源芯城:
1500V,5Ω,4A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247


STW4N150中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.50 kV

额定电流 4.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.30 nF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 1500 V

漏源击穿电压 1.50 kV

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW4N150引脚图与封装图
STW4N150引脚图
STW4N150封装图
STW4N150封装焊盘图
在线购买STW4N150
型号: STW4N150
描述:STMICROELECTRONICS  STW4N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V
替代型号STW4N150
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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