




















STMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 1.5kV 4A
得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Jameco:
N-channel 1500V, 5Ω, 4A, TO-247
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
儒卓力:
**N-CH 1.5kV 4A 7000mOhm TO247-3 **
力源芯城:
1500V,5Ω,4A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
额定电压DC 1.50 kV
额定电流 4.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.30 nF
栅电荷 50.0 nC
漏源极电压Vds 1500 V
漏源击穿电压 1.50 kV
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW4N150 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STFW4N150 意法半导体 | 功能相似 | STW4N150和STFW4N150的区别 |