STMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
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STU5N95K3
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MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STU5N95K3, 4 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-251封装
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MOSFET POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
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晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
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**N-CH 950V 4A 3500mOhm TO251-3 **
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950V,4A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 950 V
漏源击穿电压 950 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 460pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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